Toshiba 2SJ P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 0.2 A 200 mW, 3-Pin SMini
- RS Best.-Nr.:
- 601-1898
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SJ168(F)
- Marke:
- Toshiba
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 601-1898
- Herst. Teile-Nr.:
- 2SJ168(F)
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Channel-Typ | P | |
| Dauer-Drainstrom max. | 0.2 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | SMini | |
| Serie | 2SJ | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 2 Ω | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.5V | |
| Verlustleistung max. | 200 mW | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Länge | 2.9mm | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 1.5mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Channel-Typ P | ||
Dauer-Drainstrom max. 0.2 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße SMini | ||
Serie 2SJ | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 2 Ω | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 3.5V | ||
Verlustleistung max. 200 mW | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. ±20 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Länge 2.9mm | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 1.5mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
- Ursprungsland:
- JP