Toshiba 2SK 2SK3669(Q) N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 20000 mW, 3-Pin PW Form

RS Best.-Nr.:: 601-2116
Herst. Teile-Nr.:: 2SK3669(Q)
Marke:: Toshiba

Toshiba 2SK 2SK3669(Q) N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 20000 mW, 3-Pin PW Form

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 601-2116
Herst. Teile-Nr.:: 2SK3669(Q)
Marke:: Toshiba

2SK3669, N-Channel MOSFET 10A 100V
ESD Control Selection Guide V1

RS Best.-Nr.:: 601-2116
Herst. Teile-Nr.:: 2SK3669(Q)
Marke:: Toshiba

2SK3669, N-Channel MOSFET 10A 100V
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	10 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	PW Form
Serie	2SK
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	125 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	20000 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	8 nC @ 10 V
Länge	6.5mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	5.5mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	2.3mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	10 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	PW Form
Serie	2SK
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	125 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	5V
Verlustleistung max.	20000 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs	8 nC @ 10 V
Länge	6.5mm
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Transistor-Werkstoff	Si
Breite	5.5mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Höhe	2.3mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Toshiba 2SK 2SK3669(Q) N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 10 A 20000 mW, 3-Pin PW Form

MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba

MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba