Toshiba 2SK 2SK3700(F) N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 5 A 150000 mW, 3-Pin TO-3P W, TO-3PN

RS Best.-Nr.:: 601-2122
Herst. Teile-Nr.:: 2SK3700(F)
Marke:: Toshiba

Toshiba 2SK 2SK3700(F) N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 5 A 150000 mW, 3-Pin TO-3P W, TO-3PN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Preis pro Stück

CHF.2.447

Stück	Pro Stück
1 - 4	CHF.2.447
5 - 9	CHF.2.31
10 - 24	CHF.2.174
25 - 49	CHF.2.058
50 +	CHF.1.964

RS Best.-Nr.:: 601-2122
Herst. Teile-Nr.:: 2SK3700(F)
Marke:: Toshiba

Semi,Descrete,Pw-MOSFET,
ESD Control Selection Guide V1

RS Best.-Nr.:: 601-2122
Herst. Teile-Nr.:: 2SK3700(F)
Marke:: Toshiba

Semi,Descrete,Pw-MOSFET,
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	5 A
Drain-Source-Spannung max.	900 V
Serie	2SK
Gehäusegröße	TO-3P W, TO-3PN
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	2,5 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Verlustleistung max.	150000 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±30 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	15.9mm
Breite	4.8mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	28 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	19mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	5 A
Drain-Source-Spannung max.	900 V
Serie	2SK
Gehäusegröße	TO-3P W, TO-3PN
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	2,5 Ω
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Verlustleistung max.	150000 mW
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	±30 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Länge	15.9mm
Breite	4.8mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Gate-Ladung typ. @ Vgs	28 nC @ 10 V
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	19mm
Betriebstemperatur min.	-55 °C

Toshiba 2SK 2SK3700(F) N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 5 A 150000 mW, 3-Pin TO-3P W, TO-3PN

MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba

MOSFET N-Kanal, Serie 2SK, Toshiba