NXP BF1201WR,115 N-Kanal, SMD MOSFET-Tetrode 10 V / 30 mA 200 mW, 4-Pin CMPAK
- RS Best.-Nr.:
- 626-2169
- Herst. Teile-Nr.:
- BF1201WR,115
- Marke:
- NXP
Zurzeit nicht verfügbar, Versand erfolgt sobald lieferbar.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer VPE à 10)
CHF.0.168
| Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
| 10 - 40 | CHF.0.168 | CHF.1.649 |
| 50 - 190 | CHF.0.158 | CHF.1.607 |
| 200 - 490 | CHF.0.158 | CHF.1.565 |
| 500 - 990 | CHF.0.147 | CHF.1.523 |
| 1000 + | CHF.0.147 | CHF.1.47 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 626-2169
- Herst. Teile-Nr.:
- BF1201WR,115
- Marke:
- NXP
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal-MOSFET, NXP
Hinweis
NXP ist eine Marke von NXP B.B.
MOSFET-Transistoren, NXP
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 30 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 10 V |
| Gehäusegröße | CMPAK |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 4 |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Verlustleistung max. | 200 mW |
| Gate-Source Spannung max. | +6 V |
| Breite | 1.35mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Länge | 2.2mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Leistungsverstärkung | 33,5 dB |
| Höhe | 1mm |
| Betriebstemperatur min. | -65 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 626-2169
- Herst. Teile-Nr.:
- BF1201WR,115
- Marke:
- NXP