Vishay SUD23N06-31 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 23 A 31.25 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 636-5397P
- Herst. Teile-Nr.:
- SUD23N06-31-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SUD23N06-31-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 23A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | SUD23N06-31 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 31mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 31.25W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie SUD23N06-31 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 31mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 31.25W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Höhe 2.38mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie SUD23N06-31 von Vishay, 60 V Drain-Quellenspannung, 23 A kontinuierlicher Drain-Strom – SUD23N06-31-GE3
Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Transistor, der zum Schalten und Steuern der Leistung in elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet bei Spannungen bis zu 60 V und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine hohe kontinuierliche Strombelastbarkeit und eine moderate Verlustleistung in einem kompakten TO-252-Gehäuse erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 23 A kontinuierlicher Ablassstrom für Hochstromschaltfähigkeit
• 31 mΩ Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste und verbesserte Effizienz
• 11 nC typische Gate-Ladung für schnelleres Schalten mit niedrigeren Antriebsanforderungen
• Maximale Verlustleistung von 31,25 W zur Bewältigung thermischer Belastungen unter belasteten Bedingungen
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V für robusten Gate-Drive-Headroom
• Betriebsbereich von -55 °C bis +150 °C für breite Umweltverträglichkeit
• 31 mΩ Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste und verbesserte Effizienz
• 11 nC typische Gate-Ladung für schnelleres Schalten mit niedrigeren Antriebsanforderungen
• Maximale Verlustleistung von 31,25 W zur Bewältigung thermischer Belastungen unter belasteten Bedingungen
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V für robusten Gate-Drive-Headroom
• Betriebsbereich von -55 °C bis +150 °C für breite Umweltverträglichkeit
Anwendungen
• Geeignet für DC-Motortreiber, die einen anhaltend hohen Strom erfordern
• Ideal für Leistungsumwandlungsstufen in der industriellen Automatisierung
• Wird zum Schalten von Lasten in Stromverteilungsbaugruppen verwendet
• Kann für Schaltnetzteile in Steuerungssystemen verwendet werden
• Ideal für Leistungsumwandlungsstufen in der industriellen Automatisierung
• Wird zum Schalten von Lasten in Stromverteilungsbaugruppen verwendet
• Kann für Schaltnetzteile in Steuerungssystemen verwendet werden
Welche Montageart verwendet es und wie wirkt sich das auf die Montage aus?
Es wird in einem TO-252-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das automatisierte Lötprozesse und kompakte Leiterplatten-Layouts ermöglicht.
Wie verarbeitet das Gerät das Wärmemanagement auf einer Leiterplatte?
Mit einer maximalen Verlustleistung von 31,25 W erfordert es eine ausreichende Kupferfläche oder Wärmeleitungen, um die Wärme vom Gehäuse auf die Leiterplatte zu verteilen.
Welche Gate-Antriebsaspekte sind für einen zuverlässigen Betrieb erforderlich?
Der Gate-Antrieb muss innerhalb von ±20 V gegenüber der Quelle bleiben und eine ausreichende Ladungsabgabe bieten, um die typische Gate-Ladung von 11 nC für die gewünschte Schaltgeschwindigkeit zu erreichen.
Welche elektrischen Grenzwerte müssen bei der Konstruktion beachtet werden?
Stellen Sie sicher, dass die Ablass-Quellenspannung niemals 60 V überschreitet und der kontinuierliche Ablassstrom unter den vorgesehenen Kühlbedingungen 23 A nicht überschreitet.