Renesas Electronics NP82N055PUG-E2-AZ N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 82 A 1800 mW, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 641-6079
- Herst. Teile-Nr.:
- NP82N055PUG-E2-AZ
- Marke:
- Renesas Electronics
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| 50 - 245 | CHF.1.68 | CHF.8.40 |
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
N-Kanal-Niederspannungs-MOSFETs bis 140 V, Renesas Electronics
MOSFET-Transistoren, Renesas Electronics (NEC)
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 82 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 55 V |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 5 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Verlustleistung max. | 1800 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 106 nC @ 10 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Länge | 10mm |
| Breite | 9.15mm |
| Höhe | 4.45mm |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 641-6079
- Herst. Teile-Nr.:
- NP82N055PUG-E2-AZ
- Marke:
- Renesas Electronics