Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 75 V / 210 A 370 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 650-4716P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB3077PBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 650-4716P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB3077PBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 210A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 160nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 370W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.82mm | |
| Höhe | 9.02mm | |
| Länge | 10.66mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 210A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 160nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 370W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.82mm | ||
Höhe 9.02mm | ||
Länge 10.66mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 210A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 75V maximale Drain-Source-Spannung - IRFB3077PBF
Dieser MOSFET ist ein hochleistungsfähiges Bauelement der Leistungselektronik, das sich für verschiedene anspruchsvolle Anwendungen eignet. Er wurde mit Si-MOSFET-Technologie entwickelt und verfügt über ein TO-220AB-MOSFET-Gehäuse, das ein effektives Wärmemanagement ermöglicht. Mit einem maximalen Drain-Dauerstrom von 210 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 75 V eignet er sich hervorragend für Hochstromanwendungen und gewährleistet eine zuverlässige Leistung unter schwierigen Bedingungen.
Eigenschaften und Vorteile
• Erzielt einen niedrigen RDS(on) von 3,3mΩ für einen effizienten Betrieb
• Entwickelt für den Erweiterungsmodus, der robuste Anwendungen unterstützt
• Hohe maximale Verlustleistung von 370 W optimiert die Langlebigkeit des Geräts
• Verbesserte Lawinen- und dynamische dV/dt-Robustheit gewährleistet Sicherheit
• Vollständig charakterisierte Kapazität, die die Schaltleistung verbessert
• Geeignet für Hochgeschwindigkeits-Leistungsschaltungen mit ausgezeichneter thermischer Stabilität
Anwendungen
• Einsatz in hocheffizienten Synchrongleichrichtersystemen
• Ideal für unterbrechungsfreie Stromversorgungskonfigurationen
• Wirksam in hart geschalteten und hochfrequenten Schaltungen
• Ermöglicht effizientes Energiemanagement in industriellen Automatisierungssystemen
• Unterstützt verschiedene Stromversorgungskonzepte in elektrischer und mechanischer Hinsicht
Welchen Betriebstemperaturbereich kann dieses Bauteil aushalten?
Er arbeitet zuverlässig in einem Temperaturbereich von -55°C bis +175°C und ist damit für eine Vielzahl von Umgebungen geeignet.
Welchen Nutzen hat der niedrige RDS(on) für die Anwendung?
Der niedrige RDS(on) reduziert die Verlustleistung während des Betriebs erheblich, was die Energieeffizienz und die thermische Leistung in Anwendungen, die einen hohen Stromfluss erfordern, verbessert.
Was sind die Vorteile des TO-220AB-Gehäuseformats?
Dieses Gehäuseformat sorgt für eine bessere Wärmeableitung und eine einfachere Installation, insbesondere bei der Durchsteckmontage, was robuste Schaltungsdesigns fördert.
Welche Art von Gate-Schwellenspannung ist dafür erforderlich?
Der Baustein unterstützt eine Gate-Schwellenspannung zwischen 2V und 4V, was die Kompatibilität mit verschiedenen Steuerschaltungen ermöglicht.