DiodesZetex ZXMN10A07Z Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.4 A 2.6 W, 3-Pin SOT-89
- RS Best.-Nr.:
- 669-7401
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMN10A07ZTA
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF.4.52
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.0.452 | CHF.4.55 |
| 50 - 240 | CHF.0.399 | CHF.4.04 |
| 250 - 490 | CHF.0.399 | CHF.3.95 |
| 500 + | CHF.0.389 | CHF.3.85 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 669-7401
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMN10A07ZTA
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | ZXMN10A07Z | |
| Gehäusegröße | SOT-89 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 700mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.95V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.6W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 4.6mm | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Breite | 2.6 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie ZXMN10A07Z | ||
Gehäusegröße SOT-89 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 700mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.95V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.6W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 4.6mm | ||
Höhe 1.6mm | ||
Breite 2.6 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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