onsemi 2N7002 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 115 mA 200 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 671-0312
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-08-906
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
CHF.5.26
Auf Lager
- 1'100 Einheit(en) versandfertig
- Zusätzlich 480 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | CHF 0.263 | CHF 5.17 |
| 200 - 480 | CHF 0.222 | CHF 4.44 |
| 500 - 980 | CHF 0.192 | CHF 3.86 |
| 1000 - 1980 | CHF 0.172 | CHF 3.39 |
| 2000 + | CHF 0.152 | CHF 3.11 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 671-0312
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-08-906
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 115mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | 2N7002 | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 223nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.93mm | |
| Breite | 1.3mm | |
| Länge | 2.92mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 115mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie 2N7002 | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 223nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.93mm | ||
Breite 1.3mm | ||
Länge 2.92mm | ||
Automobilstandard AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi 2N7002 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 115 mA 200 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex 2N7002 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 115 mA 300 mW, 3-Pin SOT-23
- Microchip 2N7002 Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V / 115 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex 2N7002 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 mA 540 mW, 3-Pin SOT-23
- Nexperia 2N7002 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 mA 830 mW, 3-Pin SOT-23
- onsemi 2N7002L Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 115 mA 300 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex 2N7002 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 220 mA 540 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex 2N7002 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 380 mA 540 mW, 3-Pin SOT-23