onsemi FDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8.8 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 671-0508
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS4435BZ
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.0.818 | CHF.4.11 |
| 50 - 95 | CHF.0.707 | CHF.3.54 |
| 100 - 495 | CHF.0.616 | CHF.3.07 |
| 500 - 995 | CHF.0.545 | CHF.2.71 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 671-0508
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS4435BZ
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | FDS | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4 mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie FDS | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4 mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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