onsemi FDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8.8 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 671-0508
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS4435BZ
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 671-0508
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS4435BZ
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | FDS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie FDS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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