onsemi Isoliert PowerTrench Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 6.9 A 1.6 W, 8-Pin SOIC

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Herst. Teile-Nr.:
FDS4935BZ
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

22mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

29nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.6W

Durchlassspannung Vf

-0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Länge

5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4 mm

Höhe

1.5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Zweifach-P-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs sind optimierte Netzschalter, die bieten eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine geringe Gate-Ladung (QG) mit geringer Umkehr-Erholungsladung (Qrr) und einer Diode mit weichem Umkehr-Erholungsgehäuse, was zu einer schnellen Schaltung der Synchrongleichrichtung in AC/DC-Netzteilen führt.

Die neuesten PowerTrench® MOSFETs nutzen eine abgeschirmte Gatterstruktur, die für Ladungsbalance sorgt. Durch die Verwendung dieser fortschrittlichen Technologie ist die Leistungszahl dieser Geräte erheblich niedriger als bei der Vorgängergeneration.

Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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