onsemi Isoliert PowerTrench Typ N, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 5.5 A 2 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 671-0655
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS6930B
- Marke:
- onsemi
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 62mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 62mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.8nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
PowerTrench® Dual-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
ON-PowerTrench®-MOSFETs von Semis sind optimierte Leistungsschalter, die eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine kleine Gate-Ladung, eine kleine Rückwärtserholung und eine weiche Rückwärtserholungsdiode, um zum schnellen Schalten der synchronen Gleichrichtung in AC/DC-Netzteilen beizutragen.
Die Weichkörper-Diodenleistung der PowerTrench®-MOSFETs ist in der Lage, Snubber-Schaltkreise zu beseitigen oder einen MOSFET mit höherer Nennspannung zu ersetzen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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