onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 15 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 671-0731
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS8896
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.1.05
Nur noch Restbestände
- Letzte 2’235 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | CHF.0.21 | CHF.1.04 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 671-0731
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS8896
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 50nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 50nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 15 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3.5 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 13 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 11 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 8.2 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Lot MOSFET Erweiterung 30 V / 8.8 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 10 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 8.9 A 2.5 W, 8-Pin SOIC