onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 900 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 671-0797
- Herst. Teile-Nr.:
- FDV305N
- Marke:
- onsemi
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|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.242 | CHF.2.44 |
| 100 - 240 | CHF.0.212 | CHF.2.11 |
| 250 - 490 | CHF.0.182 | CHF.1.83 |
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- 671-0797
- Herst. Teile-Nr.:
- FDV305N
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 900mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 220mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.75V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 350mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.1nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.92mm | |
| Breite | 1.3 mm | |
| Höhe | 0.93mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 900mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 220mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.75V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 350mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.1nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.92mm | ||
Breite 1.3 mm | ||
Höhe 0.93mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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