onsemi QFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 55 A 3.75 W, 3-Pin TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
FQB55N10TM
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

55A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

QFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

26mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

75nC

Durchlassspannung Vf

1.5V

Maximale Verlustleistung Pd

3.75W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Höhe

4.83mm

Breite

9.65 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET QFET®, über 31 A, Fairchild Semiconductor


Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.

Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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