onsemi QFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1 A 2 W, 4-Pin SOT-223

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.3.835

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 14’555 Einheit(en) mit Versand ab 25. Februar 2026
  • Zusätzlich 25 Einheit(en) mit Versand ab 25. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.0.767CHF.3.82
50 - 95CHF.0.662CHF.3.29
100 - 495CHF.0.567CHF.2.85
500 - 995CHF.0.504CHF.2.51
1000 +CHF.0.452CHF.2.28

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
671-1068
Herst. Teile-Nr.:
FQT5P10TF
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

QFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.05Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.3nC

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-4V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.5mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.6mm

Breite

3.56 mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-MOSFET QFET®, Fairchild Semiconductor


Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.

Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links