onsemi NDS7002A Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 280 mA 300 mW, 3-Pin SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:
NDS7002A
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

280mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

NDS7002A

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-65°C

Durchlassspannung Vf

0.88V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1.2nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

300mW

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.92mm

Breite

1.3 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.93mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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