onsemi BS170 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 500 mA 830 mW, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 671-4736P
- Herst. Teile-Nr.:
- BS170
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (100 Stück, geliefert in Beutel)*
CHF 30.30
Auf Lager
- 770 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 10'000 Einheit(en) mit Versand ab 27. Januar 2027
- Zusätzlich 10'000 Einheit(en) mit Versand ab 10. März 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 240 | CHF 0.303 |
| 250 - 490 | CHF 0.263 |
| 500 + | CHF 0.222 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 671-4736P
- Herst. Teile-Nr.:
- BS170
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 500mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | BS170 | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 600mV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 830mW | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.6nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 5.33mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.19mm | |
| Länge | 5.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 500mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie BS170 | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 600mV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 830mW | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.6nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 5.33mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.19mm | ||
Länge 5.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.