onsemi QFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage P-Kanal-QFET-MOSFET Erweiterung 500 V / 2.7 A 85 W, 3-Pin JEDEC TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 671-5118P
- Herst. Teile-Nr.:
- FQP3P50
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
- RS Best.-Nr.:
- 671-5118P
- Herst. Teile-Nr.:
- FQP3P50
- Marke:
- onsemi
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | P-Kanal-QFET-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | QFET | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.9Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 85W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Durchlassspannung Vf | -5V | |
| Betriebstemperatur min. | 55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.1mm | |
| Breite | 4.7mm | |
| Höhe | 9.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Serie | QFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Produkt Typ | P-Kanal-QFET-MOSFET | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 500 V | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 2.7 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 85 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | JEDEC TO-220AB | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | -5 V | |
| Höhe | 9.4 mm | |
| Länge | 10.1 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 4.9 Ω | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | 55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 18 nC | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ P-Kanal-QFET-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie QFET | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.9Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 85W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Durchlassspannung Vf -5V | ||
Betriebstemperatur min. 55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.1mm | ||
Breite 4.7mm | ||
Höhe 9.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Serie QFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Produkt Typ P-Kanal-QFET-MOSFET | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 500 V | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 2.7 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 85 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße JEDEC TO-220AB | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) -5 V | ||
Höhe 9.4 mm | ||
Länge 10.1 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 4.9 Ω | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. 55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 18 nC | ||
Breite 4.7 mm | ||