onsemi QFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 8 A 205 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 671-5206P
Herst. Teile-Nr.:: FQP9N90C
Marke:: onsemi

onsemi QFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 8 A 205 W, 3-Pin TO-220

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	onsemi
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	8A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	900V
	Serie	QFET
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.4Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	45nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	205W
	Durchlassspannung Vf	1.4V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	9.4mm
	Länge	10.1mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke onsemi
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 900V
	Serie QFET
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 205W
	Durchlassspannung Vf 1.4V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 9.4mm
	Länge 10.1mm
	Automobilstandard Nein

N-Kanal-MOSFET QFET®, 6 A bis 10,9 A, Fairchild Semiconductor

Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.

Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.

MOSFET-Transistoren, ON Semi

On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

onsemi QFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 8 A 205 W, 3-Pin TO-220

N-Kanal-MOSFET QFET®, 6 A bis 10,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET-Transistoren, ON Semi

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