STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 120 A 312 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 687-5065
- Herst. Teile-Nr.:
- STB120NF10T4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.8.904
Auf Lager
- Zusätzlich 1’234 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.4.452 | CHF.8.89 |
| 10 - 24 | CHF.4.022 | CHF.8.04 |
| 26 - 98 | CHF.3.812 | CHF.7.62 |
| 100 - 498 | CHF.3.056 | CHF.6.11 |
| 500 + | CHF.2.709 | CHF.5.41 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 687-5065
- Herst. Teile-Nr.:
- STB120NF10T4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | STripFET II | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 172nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 312W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Breite | 9.35 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie STripFET II | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 172nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 312W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 4.6mm | ||
Breite 9.35 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 120 A 312 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 120 A 312 W, 3-Pin STP120NF10
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 120 A 312 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 300 W, 3-Pin STB100NF04T4 TO-263
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 75 V / 75 A 300 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics STripFET II Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 110 W, 3-Pin TO-263