STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 14 A 150 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 687-5116
- Herst. Teile-Nr.:
- STB14NK50ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.3.838
Auf Lager
- Zusätzlich 300 Einheit(en) mit Versand ab 16. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.1.919 | CHF.3.83 |
| 10 - 98 | CHF.1.616 | CHF.3.23 |
| 100 - 498 | CHF.1.293 | CHF.2.59 |
| 500 - 998 | CHF.1.151 | CHF.2.31 |
| 1000 + | CHF.0.97 | CHF.1.93 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 687-5116
- Herst. Teile-Nr.:
- STB14NK50ZT4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 380mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 69nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.6mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Breite | 9.35 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 380mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 69nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.6mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Breite 9.35 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 14 A 150 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 14 A 150 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 14 A 150 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 900 V / 5.8 A 140 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 5.2 A 125 W, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 150 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 500 V / 14 A 35 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 950 V / 17.5 A 250 W, 3-Pin