MDmesh, SuperMESH STW13NK100Z N-Kanal MOSFET, 1000 V / 13 A, 350 W, TO-247 3-Pin

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RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 13 A
Drain-Source-Spannung max. 1000 V
Gehäusegröße TO-247
Montage-Typ Durchsteckmontage
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 700 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. 3V
Verlustleistung max. 350 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Betriebstemperatur min. -55 °C
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 15.75mm
Breite 5.15mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 190 nC @ 10 V
Höhe 20.15mm
Serie MDmesh, SuperMESH
Transistor-Werkstoff Si
47 Lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
93 weitere lieferbar innerhalb von 3 Werktagen.
Preis pro: Stück
CHF .9.045
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
1 - 4
CHF.9.045
5 - 9
CHF.8.062
10 - 24
CHF.7.641
25 - 49
CHF.7.290
50 +
CHF.7.126
Verpackungsoptionen: