STMicroelectronics STripFET II N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 75 V / 120 A 310 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 687-5302P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP140NF75
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 - 98 | CHF 2.363 |
| 100 - 198 | CHF 1.798 |
| 200 + | CHF 1.596 |
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- RS Best.-Nr.:
- 687-5302P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP140NF75
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | STripFET II | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 310W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 160nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 9.15mm | |
| Breite | 4.6mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie STripFET II | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 310W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 160nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 9.15mm | ||
Breite 4.6mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.