Infineon HEXFET IRFB4020PBF N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 18 A 100 W, 3-Pin TO-220AB
- RS Best.-Nr.:
- 688-6939P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4020PBF
- Marke:
- Infineon
Voraussichtlich ab 05.12.2025 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 6-8 Werktagen.
Preis pro Stück (in Stange(n))
CHF.1.197
| Stück | Pro Stück |
| 50 - 120 | CHF.1.197 |
| 125 - 245 | CHF.1.113 |
| 250 - 495 | CHF.1.04 |
| 500 + | CHF.0.966 |
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- 688-6939P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4020PBF
- Marke:
- Infineon
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Produktdetails
MOSFET für Digital-Audio, Infineon
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MOSFET-Transistoren, Infineon
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Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 18 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 200 V |
| Serie | HEXFET |
| Gehäusegröße | TO-220AB |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 100 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.9V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
| Verlustleistung max. | 100 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Breite | 4.82mm |
| Betriebstemperatur max. | +175 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Länge | 10.66mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C |
| Höhe | 9.02mm |
- RS Best.-Nr.:
- 688-6939P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFB4020PBF
- Marke:
- Infineon