Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 290 A 520 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 688-7014P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP4468PBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*
CHF 44.84
- 258 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 24 | CHF 4.48 |
| 25 - 49 | CHF 4.17 |
| 50 - 99 | CHF 3.93 |
| 100 + | CHF 3.62 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 688-7014P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFP4468PBF
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 290A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 360nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 520W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 20.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 15.87mm | |
| Breite | 5.31mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 290A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 360nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 520W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 20.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 15.87mm | ||
Breite 5.31mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
