onsemi Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1 A 400 mW, 3-Pin SOT-23

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme 2 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

CHF.0.546

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 2'810 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
2 +CHF.0.273

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
688-9143P
Herst. Teile-Nr.:
NTR1P02T1G
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

180mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

400mW

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.9mm

Breite

1.3 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.94mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-Leistungs-MOSFET, 20 V, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor