Vishay IRF840AS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 8 A 3.1 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme 50 Stück (geliefert in Stange)*

CHF 111.60

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Leider sind nicht genug Produkte auf Lager. Bitte reduzieren Sie die Menge.
Nur noch Restbestände
  • Letzte 25 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Stück
Pro Stück
50 - 120CHF 2.232
125 - 245CHF 2.05
250 - 495CHF 1.757
500 +CHF 1.525

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
708-5146P
Herst. Teile-Nr.:
IRF840ASPBF
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

500V

Serie

IRF840AS

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

850mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

3.1W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

-30V, +30V

Durchlassspannung Vf

2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

38nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

9.65mm

Höhe

4.83mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.67mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.