Vishay Si4435DDY Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8.1 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 710-3339
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4435DDY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.5.36
Auf Lager
- 1’230 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.536 | CHF.5.32 |
| 100 - 490 | CHF.0.504 | CHF.5.05 |
| 500 - 990 | CHF.0.42 | CHF.4.25 |
| 1000 - 2490 | CHF.0.399 | CHF.4.01 |
| 2500 + | CHF.0.378 | CHF.3.73 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 710-3339
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4435DDY-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | Si4435DDY | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 24mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4 mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie Si4435DDY | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 24mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4 mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay Si4435DDY Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8.1 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Si4116DY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 12.7 A 2.5 W, 8-Pin SI4116DY-T1-GE3 SOIC
- Vishay Si4162DY Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 13.6 A 2.5 W, 8-Pin SI4162DY-T1-GE3 SOIC
- Vishay Si4403CDY Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 13.4 A 5 W, 8-Pin SI4403CDY-T1-GE3 SOIC
- Vishay Si4431CDY Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 7.2 A 4.2 W, 8-Pin SI4431CDY-T1-GE3 SOIC
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 2.2 A 2.5 W, 3-Pin SI2337DS-T1-GE3 SOT-23
- Vishay Si2319CDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 4.4 A 2.5 W, 3-Pin SI2319CDS-T1-GE3 SOT-23
- Vishay Si2343CDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5.9 A 2.5 W, 3-Pin SI2343CDS-T1-GE3 SOT-23