STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 250 mA 2.5 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 714-1076P
- Herst. Teile-Nr.:
- STN1NK80Z
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 714-1076P
- Herst. Teile-Nr.:
- STN1NK80Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 250mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 16Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.5 mm | |
| Länge | 6.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 250mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 16Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.5 mm | ||
Länge 6.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||