onsemi NTB6411ANT4G N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 77 A 217 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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RS Best.-Nr.:
719-2856P
Herst. Teile-Nr.:
NTB6411ANT4G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

77 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand max.

14 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung max.

4V

Verlustleistung max.

217 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Länge

10.29mm

Transistor-Werkstoff

Si

Breite

9.65mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

100 nC @ 10 V

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

4.83mm