Nexperia PMV213SN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.9 A 2 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 725-8326
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV213SN,215
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
CHF.13.02
Vorübergehend ausverkauft
- 40 Einheit(en) mit Versand ab 26. Februar 2026
- Zusätzlich 3’000 Einheit(en) mit Versand ab 20. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | CHF.0.651 | CHF.13.06 |
| 40 - 80 | CHF.0.588 | CHF.11.74 |
| 100 + | CHF.0.525 | CHF.10.46 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 725-8326
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV213SN,215
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | PMV213SN | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 250mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie PMV213SN | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 250mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET, 100 V und mehr, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
Verwandte Links
- Nexperia PMV213SN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.9 A 2 W, 3-Pin SOT-23
- Nexperia BSH108 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.9 A 830 mW, 3-Pin SOT-23
- Nexperia 2N7002P Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 360 mA 420 mW, 3-Pin SOT-23
- Nexperia BSS138BK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 360 mA 420 mW, 3-Pin SOT-23
- Nexperia NX7002AK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 mA 1.33 W, 3-Pin SOT-23
- Nexperia NX3008NBK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 400 mA 1.14 W, 3-Pin SOT-23
- Nexperia 2N7002BK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 350 mA 440 mW, 3-Pin SOT-23
- Nexperia BSS138P Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 360 mA 420 mW, 3-Pin SOT-23