- RS Best.-Nr.:
- 739-0158
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD8896
- Marke:
- onsemi
Voraussichtlich ab 18.07.2024 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 3 Werktagen.
Im Warenkorb
Preis pro Stück (In einer VPE à 5)
CHF.0.966
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
5 - 45 | CHF.0.966 | CHF.4.82 |
50 + | CHF.0.809 | CHF.4.064 |
*Bitte VPE beachten |
- RS Best.-Nr.:
- 739-0158
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD8896
- Marke:
- onsemi
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Produktdetails
Kfz-N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
Unter dem Leitmotiv von Qualität, Sicherheit und Zuverlässigkeitsstandards stellt Fairchild Semiconductor Lösungen bereit, mit denen sich komplexe Herausforderungen in Kraftfahrzeugen meistern lassen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
---|---|
Channel-Typ | N |
Dauer-Drainstrom max. | 94 A |
Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
Serie | PowerTrench |
Montage-Typ | SMD |
Pinanzahl | 3 |
Drain-Source-Widerstand max. | 9 mΩ |
Channel-Modus | Enhancement |
Gate-Schwellenspannung min. | 1.2V |
Verlustleistung max. | 80 W |
Transistor-Konfiguration | Einfach |
Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
Gate-Ladung typ. @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
Breite | 6.22mm |
Betriebstemperatur max. | +175 °C |
Transistor-Werkstoff | Si |
Länge | 6.73mm |
Höhe | 2.39mm |
Betriebstemperatur min. | -55 °C |