DiodesZetex ZVN4525E6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 230 mA 1.1 W, 6-Pin ZVN4525E6TA SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 751-5265
- Herst. Teile-Nr.:
- ZVN4525E6TA
- Marke:
- DiodesZetex
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
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| 30 - 140 | CHF.0.651 | CHF.6.50 |
| 150 - 740 | CHF.0.515 | CHF.5.14 |
| 750 - 1490 | CHF.0.462 | CHF.4.59 |
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- RS Best.-Nr.:
- 751-5265
- Herst. Teile-Nr.:
- ZVN4525E6TA
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 230mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | ZVN4525E6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 40 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.1W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.6nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.75 mm | |
| Höhe | 1.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q100, AEC-Q104, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 230mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie ZVN4525E6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 40 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.1W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.6nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.75 mm | ||
Höhe 1.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q100, AEC-Q104, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET, 100 V bis 950 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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