Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 49 A 2.5 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 752-8164P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC093N04LSGATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (50 Stück, auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 48.00
Auf Lager
- Zusätzlich 25'450 Einheit(en) mit Versand ab 05. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 245 | CHF 0.96 |
| 250 - 1245 | CHF 0.626 |
| 1250 - 2495 | CHF 0.495 |
| 2500 + | CHF 0.465 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 752-8164P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC093N04LSGATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 49A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 6.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 49A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 6.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS™ 3 Series MOSFET, 49A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2,5W maximale Verlustleistung - BSC093N04LSGATMA1
Dieser MOSFET wurde für effizientes Leistungsmanagement und -steuerung entwickelt und spielt eine wichtige Rolle in Automatisierungs- und Elektroanwendungen, die eine hohe Leistung erfordern. Seine Integration verbessert die Effizienz der Schaltkreise und trägt zur Zuverlässigkeit und Reaktionsfähigkeit des Gesamtsystems in verschiedenen Umgebungen bei.
Eigenschaften und Vorteile
• Bietet einen maximalen kontinuierlichen Ableitstrom von 49 A
• Funktioniert effektiv in einem Spannungsbereich von 40 V
• Niedriger Drain-Source-Widerstand verbessert die Leistung
• Unterstützt die Oberflächenmontage für eine einfachere Integration
• Hohe thermische Stabilität mit einer Höchsttemperatur von +150°C
• Geeignet für verschiedene Anwendungen durch einen weiten Gate-Schwellenspannungsbereich
Anwendungsbereich
• Ideal für Strom in der Automatisierung und Robotik
• Verwendet in Ladesystemen für Elektrofahrzeuge
• Geeignet für Stromversorgungs- und Umwandlungsaufgaben
• Anwendung in Motorsteuerungsschaltungen und Antrieben
• Einsatz in der Telekommunikation für effizientes Signalmanagement
Welche Art von Belastung kann dieses Gerät effektiv bewältigen?
Er kann Lasten von bis zu 49 A bewältigen und ist damit für Hochstromanwendungen in verschiedenen Branchen geeignet.
Ist sie mit der Oberflächenmontagetechnik kompatibel?
Ja, er ist oberflächenmontierbar, was eine einfache Installation auf PCBs ermöglicht.
Wie hoch ist die Gate-Spannung für dieses Bauteil?
Der Baustein verfügt über Gate-Source-Spannungsgrenzen von -20V bis +20V, was Flexibilität bei der Schaltungsentwicklung ermöglicht.
Kann es unter extremen Temperaturbedingungen arbeiten?
Ja, er arbeitet effektiv in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C und gewährleistet so die Funktionalität in rauen Umgebungen.
Leistungs-MOSFETs Infineon OptiMOS™3, bis zu 40 V
optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.
Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS
Optimierte Technik für DC/DC-Wandler
Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen
N-Kanal, Logikebene
Ausgezeichnete gate-ladung x R DS(ON) -Produkt (BFM)
Sehr geringer Widerstand R DS(ON)
Pb-frei Beschichtung
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.