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    Infineon SIPMOS BSP373NH6327XTSA1 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 1,7 A 1,8 W, 3 + Tab-Pin SOT-223

    RS Best.-Nr.:
    752-8224P
    Herst. Teile-Nr.:
    BSP373NH6327XTSA1
    Marke:
    Infineon
    Infineon

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    BSP373NH6327XTSA1
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    Infineon

    Rechtliche Anforderungen


    Produktdetails

    N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS®



    MOSFET-Transistoren, Infineon


    Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.


    Technische Daten

    EigenschaftWert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.1,7 A
    Drain-Source-Spannung max.100 V
    GehäusegrößeSOT-223
    Montage-TypSMD
    Pinanzahl3 + Tab
    Drain-Source-Widerstand max.300 mΩ
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.4V
    Gate-Schwellenspannung min.2.1V
    Verlustleistung max.1,8 W
    Transistor-KonfigurationEinfach
    Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
    Transistor-WerkstoffSi
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Betriebstemperatur max.+150 °C
    Länge6.5mm
    Breite3.5mm
    SerieSIPMOS
    Betriebstemperatur min.-55 °C
    Höhe1.6mm
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