Infineon SIPMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.7 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 752-8224P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP373NH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 5 + | CHF 1.111 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 752-8224P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSP373NH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 300mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.8W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.82V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Länge | 6.5mm | |
| Breite | 3.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie SIPMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 300mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.8W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 0.82V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.6mm | ||
Länge 6.5mm | ||
Breite 3.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,7 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSP373NH6327XTSA1
Merkmale und Vorteile:
• 300 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei Nennstrom
• 1,7 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Steady-State-Lasten
• Die typische Gate-Ladung von 6,2 nC ermöglicht eine effiziente Schaltsteuerung
• Maximale Verlustleistung von 1,8 W bewältigt thermische Belastungen im Einsatz
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V ermöglicht flexible Gate-Antriebspegel
Anwendungsbereich
• Ideal für DC/DC-Wandler in beengten Baugruppen
• Wird mit Motortreibern zur Steuerung von Betätigungselementen mit geringem Stromverbrauch verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in Telematikgeräten verwendet werden
• Wird für das Batteriemanagement in Hilfsfahrzeugsystemen verwendet
