Infineon OptiMOS 3 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 20 A 2.1 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 752-8255P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ100N06LS3GATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17.9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.1W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.4mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17.9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.1W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.4mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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