Infineon OptiMOS-T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 30 A 57 W, 3-Pin TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IPD30N10S3L34ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

OptiMOS-T

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

42mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22 mm

Höhe

2.3mm

Länge

6.5mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™T Leistungs-MOSFETs


optimos™ Produkte sind erhältlich in hohe Performance Packages zur Bewältigung der anspruchsvollsten Anwendungen für die volle Flexibilität bei eingeschränkten Platzverhältnissen. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.

N-Kanal - Anreicherungstyp

Kfz AEC Q101 zugelassen

MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

175 °C Betriebstemperatur

Green Product (RoHS konform)

MOSFET-Transistoren, Infineon


Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

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