onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 62 A 260 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 759-8967
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB2614
- Marke:
- onsemi
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- 759-8967
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB2614
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 62A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 27mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 260W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 76nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Breite | 11.33 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 62A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 27mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 260W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 76nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Breite 11.33 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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