onsemi UniFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 52 A 357 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 759-8983P
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB52N20TM
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 95 | CHF 2.02 |
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- RS Best.-Nr.:
- 759-8983P
- Herst. Teile-Nr.:
- FDB52N20TM
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 52A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | UniFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 49mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 357W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 49nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -30, +30V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.572mm | |
| Breite | 10.16mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 9.98mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 52A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie UniFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 49mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 357W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 49nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -30, +30V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.572mm | ||
Breite 10.16mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 9.98mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor
Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
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On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.