onsemi UniFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 15 A 38.5 W, 3-Pin FDPF15N65 TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 759-9181
- Herst. Teile-Nr.:
- FDPF15N65
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.3.077
Auf Lager
- 24 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 277 Einheit(en) mit Versand ab 07. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.3.08 |
| 10 + | CHF.2.65 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 759-9181
- Herst. Teile-Nr.:
- FDPF15N65
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | UniFET | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 440mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 38.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.16mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 15.87mm | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie UniFET | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 440mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 38.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.16mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 15.87mm | ||
Breite 4.7 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
UniFET™ N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor
MOSFET UniFET™ ist die Hochspannungs-MOSFET-Familie von Fairchild Semiconductor. Diese weist den kleinsten Durchlasswiderstand unter den ebenflächigen MOSFETs auf und bietet außerdem eine überlegene Schaltleistung und höhere Stoßentladungsenergiestärke. Zusätzlich sorgt die interne gattergespeiste ESD-Diode dafür, dass der MOSFET UniFET-II™ Überspannungsbelastungen von über 2000 V HBM standhalten kann.
UniFET™ MOSFETs sind für Schaltleistungskonverter-Anwendungen geeignet, z. B. Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD)TV-Leistung, ATX (Advanced Technology eXtended) und Vorschaltgeräte für elektronische Lampen.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 15 A 38,5 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 18 A 38,5 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 4,5 A 30 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 4,5 A 33,8 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 55 A 48 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 4,5 A 28 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 33 A 37 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi UniFET N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 39 A 37 W, 3-Pin TO-220F
