onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 16 A 35 W, 8-Pin MLP
- RS Best.-Nr.:
- 759-9516
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC3612
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.3.57
Auf Lager
- Zusätzlich 2’510 Einheit(en) mit Versand ab 20. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 + | CHF.0.714 | CHF.3.55 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 759-9516
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMC3612
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | MLP | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 212mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14.4nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 35W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.3 mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße MLP | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 212mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14.4nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 35W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.3 mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 16 A 35 W, 8-Pin MLP
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 10 A 900 mW, 6-Pin MLP
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 22 A 40 W, 8-Pin MLP
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 9.5 A 900 mW, 6-Pin MLP
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 19 A 40 W, 8-Pin MLP
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 5 A 1.4 W, 6-Pin MLP
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 9.4 A 2.4 W, 6-Pin MLP
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10 A 2.4 W, 6-Pin MLP