onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 20 A 41 W, 8-Pin FDMC6679AZ MLP8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 5 Stück)*

CHF.7.93

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 20’630 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Gurtabschnitt*
5 +CHF.1.586CHF.7.92

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
759-9522
Herst. Teile-Nr.:
FDMC6679AZ
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

MLP8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

65nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

41W

Gate-Source-spannung max Vgs

±25 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

3.3 mm

Höhe

0.75mm

Normen/Zulassungen

Lead-Free and RoHS

Länge

3.3mm

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs sind optimierte Netzschalter, die bieten eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine geringe Gate-Ladung (QG) mit geringer Umkehr-Erholungsladung (Qrr) und einer Diode mit weichem Umkehr-Erholungsgehäuse, was zu einer schnellen Schaltung der Synchrongleichrichtung in AC/DC-Netzteilen führt.

Die neuesten PowerTrench® MOSFETs nutzen eine abgeschirmte Gatterstruktur, die für Ladungsbalance sorgt. Durch die Verwendung dieser fortschrittlichen Technologie ist die Leistungszahl dieser Geräte erheblich niedriger als bei der Vorgängergeneration.

Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links