onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 3.4 A 5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 759-9686
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS86106
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 5 Stück)*
CHF.1.89
Nur noch Restbestände
- Letzte 1’445 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 5 + | CHF.0.378 | CHF.1.91 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 759-9686
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS86106
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 177mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 4mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Breite | 5 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 177mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 5W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 4mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Breite 5 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 3.4 A 5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 18 A 5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 6.1 A 5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 10 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 11.2 A 5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 12.8 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 12.5 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 18.5 A 2.5 W, 8-Pin SOIC