Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.3 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 760-4438P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLML2244TRPBF
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 95mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -12V, +12V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.9nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.3W | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3.04mm | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Breite | 1.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 95mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -12V, +12V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.9nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.3W | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3.04mm | ||
Höhe 1.02mm | ||
Breite 1.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 4,3 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 20 V maximale Drain-Source-Spannung - IRLML2244TRPBF
Dieser MOSFET ist für robuste Leistung in einem kompakten SOT-23-Gehäuse ausgelegt. Mit einem maximalen Drain-Dauerstrom von 4,3 A und einer Drain-Source-Spannung von 20 V eignet er sich für verschiedene Anwendungen in der Automatisierungs-, Elektronik- und Elektroindustrie. Das Gerät verfügt über einen Erweiterungsmodus und bietet zuverlässige Leistung in Hochtemperaturumgebungen, wobei die Funktionalität bei Temperaturen von bis zu +150°C erhalten bleibt.
Eigenschaften und Vorteile
• Niedriger RDS(on) von 54mΩ minimiert Schaltverluste
• Kompatibel mit Industriestandard-Pinout für einfache Integration
• Hohe Zuverlässigkeit mit einer maximalen Verlustleistung von 1,3 W
• Enger Temperaturbereich für optimale Betriebseffizienz
• Geringere Gate-Ladung erhöht die Gesamteffizienz
Anwendungen
• Ideal für Niederspannungsschaltungen in der Elektronik
• Geeignet für das Leistungsmanagement in DC-DC-Wandlern
• Einsatz in Motorsteuerungssystemen für Automatisierungsanlagen
• Einsatz in Stromversorgungsschaltungen für ein verbessertes Energiemanagement
Welche Bedeutung hat der niedrige RDS(on) in diesem Bauteil?
Der niedrige RDS(on) reduziert die Verlustleistung während des Betriebs erheblich, was zu einer verbesserten Effizienz und Leistung führt, insbesondere bei Schaltanwendungen.
Wie wirkt sich der Betriebstemperaturbereich auf die Schaltungsentwicklung aus?
Ein Betriebstemperaturbereich von -55°C bis +150°C ermöglicht vielseitige Anwendungen, so dass der MOSFET in verschiedenen Betriebsumgebungen, von extremer Kälte bis zu großer Hitze, zuverlässig funktioniert.
Was macht dieses Gerät für die Oberflächenmontage geeignet?
Das kompakte SOT-23-Gehäusedesign und die kompatible Pinbelegung erleichtern die Integration in PCB-Layouts, erhöhen die Fertigungseffizienz und ermöglichen die Massenproduktion.
Kann dieser MOSFET in Automobilanwendungen eingesetzt werden?
Ja, aufgrund seiner hohen thermischen Beständigkeit und Zuverlässigkeit bei hohen Temperaturen eignet es sich für Anwendungen in der Automobilindustrie, bei denen die Wärmeableitung entscheidend ist.