onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 17 A 31 W, 8-Pin PQFN
- RS Best.-Nr.:
- 760-5918P
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS8622
- Marke:
- onsemi
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 95 | CHF 1.303 |
| 100 - 495 | CHF 1.131 |
| 500 - 995 | CHF 0.99 |
| 1000 + | CHF 0.909 |
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- 760-5918P
- Herst. Teile-Nr.:
- FDMS8622
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | PQFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 97mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20, +20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 31W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.05mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße PQFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 97mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20, +20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 31W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.05mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.