STMicroelectronics DeepGate, STripFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 760-9673P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP260N6F6
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 2 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.5.656
Auf Lager
- 27 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 2 + | CHF.2.83 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 760-9673P
- Herst. Teile-Nr.:
- STP260N6F6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | DeepGate, STripFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 183nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 15.75mm | |
| Länge | 10.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie DeepGate, STripFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 183nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 15.75mm | ||
Länge 10.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.