STMicroelectronics FDmesh N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 29 A 190 W, 3-Pin TO-247

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Herst. Teile-Nr.:
STW34NM60ND
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

FDmesh

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

110mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

190W

Durchlassspannung Vf

1.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80.4nC

Gate-Source-spannung max Vgs

-25, +25V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.15mm

Höhe

20.15mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

15.75mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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