STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 110 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*

CHF.8.40

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 505 Einheit(en) mit Versand ab 02. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
10 - 99CHF.0.84
100 - 499CHF.0.65
500 - 999CHF.0.55
1000 +CHF.0.45

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
761-0051P
Herst. Teile-Nr.:
STP18NM60N
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

MDmesh

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

285mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

35nC

Maximale Verlustleistung Pd

110W

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.4mm

Höhe

15.75mm

Breite

4.6 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics