STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 3 A 25 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 761-0124
- Herst. Teile-Nr.:
- STP3NK90ZFP
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.4.885
Auf Lager
- 75 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 65 Einheit(en) mit Versand ab 26. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.0.977 | CHF.4.89 |
| 10 - 95 | CHF.0.83 | CHF.4.15 |
| 100 - 495 | CHF.0.693 | CHF.3.46 |
| 500 - 995 | CHF.0.672 | CHF.3.36 |
| 1000 + | CHF.0.662 | CHF.3.29 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 761-0124
- Herst. Teile-Nr.:
- STP3NK90ZFP
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 900V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22.7nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 900V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22.7nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 16.4mm | ||
Breite 4.6 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 3 A 25 W, 3-Pin STP3NK90ZFP TO-220
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 3 A 90 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 3 A 90 W, 3-Pin STP3NK90Z TO-220
- STMicroelectronics SiC MOSFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 15 A 30 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 2.1 A 70 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 8 A 160 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 5.8 A 30 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 5.8 A 140 W, 3-Pin TO-220